Различают 3 диапазона значений энергии:
— валентная зона,
— зона проводимости,
— запрещённая зона.
Электроны в валентой зоне связывают атомы в молекулы или в решётку и являются как бы связанными — не могут двигаться по кристаллу.
Электроны с бОльшей энергией не связаны с атомом и могут перемещаться под действием электрического поля.
Запрещённая зона — диапазон энегрии которую электрон не может иметь, этот диапазон между зоной проводимости и валентной зоной.
У металлов нет запрещённой зоны, все электроны могут двигаться свободно, поэтому металлы — проводники.
У полупроводников при низкой температуре нет свободных носителей заряда, все электроны связаны, они в валентой зоне. Но если полупроводник нагреть, то часть электронов из валентной зоны перейдёт в зону проводимости. То есть электрону добавляется энергия больше ширины запрещённой зоны которая в пределе составляет 4 эВ.
Зонная теория твердых тел позволила с единой точки зрения истолковать существование металлов, диэлектриков и полупроводников, объясняя различие в их электрических свойствах, во-первых, неодинаковым заполнением электронами разрешенных зон и, во-вторых, шириной запрещенных зон. Различие между металлами и диэлектриками с точки зрения зонной теории состоит в том, что при 0 К в зоне проводимости металлов имеются электроны, а в зоне проводимости диэлектриков они отсутствуют. Различие же между диэлектриками и полупроводниками определяется шириной запрещенных зон: для диэлектриков она довольна широка (например, для NaCl ∆Е=6 эВ), для полупроводников – достаточно узка (например, для германия ∆Е=0,72 эВ). При температурах, близких к 0 К, полупроводники ведут себя как диэлектрики, так как переброса электронов зону проводимости не происходит. С повышением температуры у полупроводников растет число электронов, которые вследствие теплового возбуждения переходят в зону проводимости, т. е. электрическая проводимость проводников в этом случае увеличивается.
10. Что такое собственная проводимость полупроводника?
Электропроводимость химически чистого полупроводника наз. Собственной проводимостью.
11. Какие примеси называются акцепторными?
Примеси, захватывающие электроны из валентной зоны.
12. Как перестраиваются энергетические зоны при внесении акцепторной примеси?
Предположим, что в решетку кремния введен примесный атом с тремя валентными электронами, например, бор. По зонной теории, введение трехвалентной примеси в решетку кремния приводит к возникновению в запрещенной зоне примесного энергетического уровня А, не занятого электронами. В случае кремния с примесью бора этот уровень располагается выше верхнего края валентной зоны на расстоянии ∆ЕА=0,08 эВ. Близость этих уровней к валентной зоне приводит к тому, что уже при сравнительтно низких температурах электроны из валентной заны переходят на примесные уровни и, связываясь с атомами бора, теряют способность перемещаться по решетке кремния, т.е. в проводимости не участвуют. Носителями тока являются лишь дырки, возникающие в валентной зоне.
13. Какие примеси называются донорными?
Примеси, являющиеся источниками электронов.
14. Как перестраиваются энергетические зоны при внесении донорной примеси?
В полупроводник вводят атомы с валентностью, отличной от валентности основных атомов на единицу. Например, замещение атома германия пятивалентным атомом мышьяка. Сточки зрения зонной теории этот процесс можно представить след. образом. Введение примеси искажает поле решетки, что приводит к возникновению в запрещенной зоне энергетического уровня D валентных электронов мышьяка, называемого примесным уровнем. В случае германия с примесью мышьяка этот уровень располагается от дна зоны проводимости на расстоянии ∆ЕD=0,013 эВ. Так как ∆ЕD
Что такое проводники, полупроводники и диэлектрики
Что такое проводник
Вещество, в котором присутствуют свободные носители зарядов, называют проводником. Движение свободных носителей называют тепловым. Основной характеристикой проводника является его сопротивление (R) или проводимость (G) – величина обратная сопротивлению.
Говоря простыми словами – проводник проводит ток.
К таким веществам можно отнести металлы, но если говорить о неметаллах то, например, углерод – отличный проводник, нашел применение в скользящих контактах, например, щетки электродвигателя. Влажная почва, растворы солей и кислот в воде, тело человека – тоже проводит ток, но их электропроводность зачастую меньше, чем у меди или алюминия, например.
Металлы являются отличными проводниками, как раз таки благодаря большому числу свободных носителей зарядов в их структуре. Под воздействием электрического поля заряды начинают перемещаться, а также перераспределяться, наблюдается явление электростатической индукции.
Что такое диэлектрик
Диэлектриками называют вещества, которые не проводят ток, или проводят, но очень плохо. В них нет свободных носителей зарядов, потому что связь частиц атома достаточно сильная, для образования свободных носителей, поэтому под воздействием электрического поля тока в диэлектрике не возникает.
Газ, стекло, керамика, фарфор, некоторые смолы, текстолит, карболит, дистиллированная вода, сухая древесина, резина – являются диэлектриками и не проводят электрический ток. В быту диэлектрики встречаются повсеместно, например, из них делаются корпуса электроприборов, электрические выключатели, корпуса вилок, розеток и прочее. В линиях электропередач изоляторы выполняются из диэлектриков.
Однако, при наличии определенных факторов, например повышенный уровень влажности, напряженность электрического поля выше допустимого значения и прочее – приводят к тому, что материал начинает терять свои диэлектрические функции и становится проводником. Иногда вы можете слышать фразы типа «пробой изолятора» — это и есть описанное выше явление.
Если сказать кратко, то основными свойствами диэлектрика в сфере электричества являются электроизоляционные. Именно способность препятствовать протеканию тока защищает человека от электротравматизма и прочих неприятностей. Основной характеристикой диэлектрика является электрическая прочность – величина равная напряжению его пробоя.
Что такое полупроводник
Полупроводник проводит электрический ток, но не так как металлы, а при соблюдении определенных условий – сообщении веществу энергии в нужных количествах. Это связано с тем, что свободных носителей (дырок и электронов) зарядов слишком мало или их вовсе нет, но если приложить какое-то количество энергии – они появятся. Энергия может быть различных форм – электрической, тепловой. Также свободные дырки и электроны в полупроводнике могут возникать под воздействием излучений, например в УФ-спектре.
Где применяются полупроводники? Из них изготавливают транзисторы, тиристоры, диоды, микросхемы, светодиоды и прочее. К таким материалам относят кремний, германий, смеси разных материалов, например арсенид-галия, селен, мышьяк.
Чтобы понять, почему полупроводник проводит электрический ток, но не так как металлы, нужно рассматривать эти материалы с точки зрения зонной теории.
Зонная теория
Зонная теория описывает наличие или отсутствие свободных носителей зарядов, относительно определенных энергетических слоев. Энергетическим уровнем или слоем называют количество энергии электронов (ядер атомов, молекул – простых частиц), их измеряют в величине Электронвольты (ЭВ).
На изображении ниже показаны три вида материалов с их энергетическими уровнями:
Обратите внимание, что у проводника энергетические уровни от валентной зоны до зоны проводимости объединены в неразрывную диаграмму. Зона проводимости и валентная зоны накладываются друг на друга, это называется зоной перекрытия. В зависимости от наличия электрического поля (напряжения), температуры и прочих факторов количество электронов может изменяться. Благодаря вышеописанному, электроны могут передвигаться в проводниках, даже если сообщить им какое-то минимальное количество энергии.
У полупроводника между зоной валентности и зоной проводимости присутствует определенная запрещенная. Ширина запрещенной зоны описывает, какое количество энергии нужно сообщить полупроводнику, чтобы начал протекать ток.
У диэлектрика диаграмма похожа на ту, которая описывает полупроводники, однако отличие лишь в ширине запрещенной зоны – она здесь во много раз большая. Различия обусловлены внутренним строением и вещества.
Мы рассмотрели основные три типа материалов и привели их примеры и особенности. Главным их отличием является способность проводить ток. Поэтому каждый из них нашел свою сферу применения: проводники используются для передачи электроэнергии, диэлектрики – для изоляции токоведущих частей, полупроводники – для электроники. Надеемся, предоставленная информация помогла вам понять, что собой представляют проводники, полупроводники и диэлектрики в электрическом поле, а также в чем их отличие между собой.
Напоследок рекомендуем просмотреть полезное видео по теме:
Классификация твердых тел по электропроводности
По своим электрическим свойствам твердые тела разделяются на проводники (металлы), полупроводники, и диэлектрики (изоляторы).
К проводникам относится класс веществ, которые имеют в своем составе электрические заряды, расположенные на микроносителях (электроны, ионы), и которые могут перемещаться даже под действием слабых электрических полей. С точки зрения зонной теории к проводникам (металлам) относятся вещества, имеющие или не полностью заполненную энергетическую зону, или частично перекрывающиеся полностью заполненную и свободную зоны, что в конечном счете приводит к не полностью заполненной зоне (рис. 6.1, а). В таком случае при наложении внешнего электрического поля электроны могут переходить на более высокие энергетические уровни в зоне, вследствие чего они приобретают скорость направленного движения, участвуя в электрическом токе.
К диэлектрикам (изоляторам) относятся вещества, которые не проводят электрический ток. С точки зрения зонной теории это вещества, у которых заполнены все состояния энергетических зон вплоть до валентной зоны, а первая свободная зона находится на расстоянии не менее 2…3 эВ (рис.6.1, с).
К полупроводникам относятся вещества, которые по свойствам проводимости занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Кроме того, их электропроводность увеличивается с увеличением температуры, освещенности, под воздействием электрических полей и механических напряжений; особенно резко их электропроводность зависит от примесей.
С точки зрения зонной теории полупроводниками являются вещества, имеющие полностью заполненные зоны, в том числе и валентную зону, а ближайшая незаполненная зона – зона проводимости — отстоит на расстоянии не более 2…3 эВ (рис.1.7, б). В этом случае при 0 К все энергетические уровни заняты, а переходы между уровнями запрещены принципом Паули, такие взаимные переходы, если они осуществляются, не сопровождаются изменением макросостояния кристалла и не могут участвовать в обмене энергией с внешним электрическим полем. Для того чтобы полупроводник мог принимать энергию внешнего электрического поля и проводить тем самым электрический ток, необходимо часть электронов перевести через запрещенную зону в зону проводимости. Тем самым в валентной зоне появятся свободные места на разрешенных энергетических уровнях («дырки») и электроны — в зоне проводимости, которые там имеют возможность принимать энергию внешнего электрического поля. Место «дырок» также может заниматься электронами более глубоких энергетических уровней и, таким образом, под действием внешнего электрического поля может осуществляться направленное движение электронов и в зоне проводимости и в зоне валентной – идет электрический ток. Для переброса электронов в зону проводимости и потребуется энергия тех воздействий, о которых было сказано выше.
Деление веществ на полупроводники и изоляторы условно. Хорошим изолятором является алмаз с шириной запрещенной зоны 5,6 эВ, а хороший полупроводник германий имеет ширину запрещенной зоны менее 1 эВ.
6.3 Электрические свойства полупроводников
Важнейшим свойством полупроводников (см. п. 1.4) является зависимость их электрических свойств от таких внешних факторов, как температура, освещенность, давление, электрические и магнитные поля. Формальным, но не решающим признаком принадлежности вещества к полупроводникам является величина электропроводности, которая для них может принимать значения в пределах s = 10 6 …10 ‑8 Ом ‑1 ×м ‑1 ; для металлов — s » 10 8 …10 5 Ом ‑1 ×м ‑1 ; для изоляторов — s ‑12 Ом ‑1 ×м ‑1 .
Характерной является температурная зависимость электрических свойств полупроводников. В отличие от металлов с увеличением температуры сопротивление полупроводников падает. Опыт дает зависимость сопротивления полупроводников от температуры в виде
(1.12)
где Еа – энергия активации, величина, характерная для полупроводников различного типа.
В некоторой области температур сопротивление полупроводников может возрастать с ростом температуры. Такие полупроводники называются вырожденными.
Резкая зависимость сопротивления полупроводников от температуры и освещенности дает возможность использовать их для преобразования соответствующих сигналов в электрические. Приборы при этом называются терморезисторы, фоторезисторы и прочее.
Собственные и примесные полупроводники. Полупроводники, проводимость которых обусловлена переходами электронов из заполненной валентной зоны в зону проводимости, называются собственными. Полупроводники, проводимость которых обусловлена ионизацией примеси, называются примесными. Примесные полупроводники, в свою очередь, делятся на электронные и дырочные полупроводники. В электронных полупроводниках основными носителями тока являются электроны, возникающие при ионизации атомов примеси. Такие примеси называются донорными, или донорами. В дырочном полупроводнике основными носителями тока являются дырки (см. п. 1.3). Дырки возникают в валентной зоне при переходе электронов этой зоны на примесные уровни. Такие примеси называются акцепторными, или акцепторами (принимающими).
6.4 Механизм проводимости полупроводников
Механизм проводимости собственных полупроводников рассмотрим на примере элемента четвертой группы, типичного полупроводника Ge. Атомы четырехвалентного германия образуют кубическую решетку, в которой каждый атом связан парноэлектронной связью с четырьмя ближайшими атомами. Двумерная модель кристалла с такой связью при Т=0 К приведена на рис. 6.2, а. Валентные электроны принадлежат своим атомам и, кроме того, благодаря перекрытию электронных облаков они могут переходить от атома к атому при встречном движении других электронов – атомы обмениваются электронами и электроны могут перемещаться по всему кристаллу. Однако такое движение является чисто хаотическим и не может участвовать в направленном движении под действием внешнего электрического поля – ток в полупроводнике отсутствует. Для создания электрического тока валентные электроны необходимо оторвать от атомов, сделать их свободными.
С точки зрения зонной теории ток в полупроводнике при низких температурах отсутствует, так как все энергетические уровни валентной зоны заняты, и некуда принять энергию такого взаимодействия. Зонная структура полупроводникового кристалла при Т = 0 К представлена на рис. 1.8, б. Для перевода электронов в зону проводимости энергии электрического поля недостаточно. Чтобы электрон перешел в зону проводимости и стал свободным, требуется энергия, соизмеримая с внутриатомной и с шириной запрещенной зоны. Такой энергией может быть энергия теплового движения с учетом распределения электронов по энергиям, энергия фотонов или других энергичных частиц. Такие электроны составляют обычный электронный механизм проводимости. Однако в собственном полупроводнике имеется и другой механизм создания электрического тока. Действительно, в валентной зоне после ухода электрона появилось свободное состояние ‑ дырка, которое позволяет электронам более глубоких уровней перемещаться по полю, принимая, например, энергию внешнего электрического поля. Перемещение дырки – это перемещение одного положительного некомпенсированного заряда атомов. Поэтому движение дырки, обусловленное движением совокупности электронов в противоположном направлении, осуществляет перенос положительного заряда. Движение свободного состояния в глубь валентной зоны может рассматриваться как движение некоторой частицы, имеющей положительный заряд и некоторую эффективную массу. В собственном полупроводнике, следовательно, осуществляется электронный (отрицательный) и дырочный (положительный) механизмы проводимости. Число электронов в зоне проводимости всегда равно числу дырок в валентной зоне в собственном полупроводнике.
Механизм проводимости электронных полупроводников рассмотрим на примере элемента четвертой группы, типичного полупроводника Ge с донорной примесью пятивалентного элемента. Атомы четырехвалентного германия образуют кубическую решетку, в которой каждый атом связан парноэлектронной связью с четырьмя ближайшими атомами. Если пятивалентный атом примеси, например фосфора, мышьякаили сурьмы, замещает в решетке нормальный атом, то после образования четырех ковалентных связей с ближайшими соседями останется один валентный электрон, который будет локализован вблизи атома примеси (рис. 6.3, а). При этом в энергетическом спектре кристалла у дна зоны проводимости появляется дополнительный энергетический уровень Ед примесного атома, на котором находится «лишний» электрон (рис. 6.3, б)
Избыточный электрон движется в кулоновском поле примесного атома. Если атом примеси получает энергию Е (например, за счет тепловых колебаний решетки), превышающую Eс — Eд — энергию ионизации примеси (Eс – энергия электрона у дна зоны проводимости), то избыточный электрон покидает атом примеси и становится носителем тока. На энергетической диаграмме это соответствует переходу электрона с донорного уровня в зону проводимости (см. рис. 1.10, б). Избыточный электрон имеет теперь возможность обмениваться энергией с внешним электрическим полем, перемещаясь на более высокие свободные уровни в зоне проводимости, ‑ стать электроном проводимости. В целом же кристалл остается электрически нейтральным, поскольку электрон остается в кристалле.
Механизм проводимости примесных дырочных полупроводников рассмотрим на примере трехвалентной примеси бора. Введение в Ge или Si примеси атомов трехвалентного элемента В приводит к появлению дырок ‑ незаполненных химических связей (рис. 6.4, а). При этом вблизи потолка валентной зоны появляются свободные энергетические уровни примесного атома (рис. 6.4, б).
Если одиниз электронов в валентной зоне получает энергию, достаточную для перехода на акцепторный уровень Eа, то происходит ионизация примеси — атом примеси становится отрицательным ионом, а дырка становится подвижной. В электрическом поле дырка ведет себя подобно положительному заряду, двигаясь в направлении вектора напряженности электрического поля. Примеси, захватывающие электроныиз валентной зоны, называются акцепторами. Помимо примесных атомов появление разрешенных уровней в запрещенной зоне связано также с нарушением идеальной периодичности решетки: вакансии, атомы в междуузлиях, дислокации и тому подобное.
Концентрация электронов и дырок определяет удельную электропроводность полупроводника, поскольку энергия ионизации примесей соизмерима с энергией тепловых колебаний решетки (kT = 0,026 эВ при комнатной температуре), то в первую очередь активизируется примесный механизм проводимости. И, если, например, концентрация электронов в зоне проводимости преобладает над концентрацией дырок, то проводимость полупроводника будет электронной, а полупроводник — электронным или n — типа. Если преобладает концентрация дырок над концентрацией электронов, то проводимость будет дырочной, а полупроводник – дырочным или р- типа.
С повышением температуры концентрация примесных носителей тока быстро достигает насыщения – примесь истощается, а собственная проводимость (смешанного типа) растет и при высоких температурах становится определяющей электропроводность полупроводника. Зависимость логарифма концентрации носителей тока, а значит и электропроводности полупроводника от обратной температуры приведена на рис. 6.5. При низких температурах (1/Т велико) существенную роль играет примесная проводимость (участок 1); участок 2 соответствует температурам истощения примесей; участок 3 ‑ проводимость практически собственная.
Тип проводимости полупроводника можно установить экспериментально, используя результаты исследования эффекта Холла в полупроводниках.
Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:
Металлы, проводники и диэлектрики в зонной теории
Читайте также:
- Актуальные аспекты синергийной теории и практики
- Альтернативные теории международной торговли
- Базовые теории и концепции международного менеджмента
- В психологической теории и практике.
- В теории и практике обучения
- В теории права выделяют также следующие основные типы правового
- Важным компонентом взаимодействия являются его материальные носители (проводники), без которых невозможно значимое (социальное) взаимодействие.
- ВВЕДЕНИЕ. Вопросы теории культуры.
- ВВЕДЕНИЕ. Вопросы теории культуры.
- Вопрос 2. Основы электронной теории дисперсии света. Формула дисперсии
- Вопрос. Западные теории денег.
- Деятельностный подход в теории личности
Более детальное представление о свойствах твердых тел и в частности об электропроводности металлов дает зонная теория, — часть квантовой механики. Важное место в зонной теории принадлежит принципу запрета Паули, который не допускает возможности существования в пределах одного кристалла более двух электронов с одинаковой энергией. Такие электроны находятся в одинаковых состояниях, и им соответствует одинаковый набор квантовых чисел кроме спинового. (Спиновые квантовые числа имеют противоположные знаки.) Рассмотрим качественное содержание теории. Главным выводом зонной теории является утверждение о том, что электроны в отдельном атоме могут иметь лишь некоторые определенные значения энергии — разрешенные дискретные уровни энергии. Все остальные значения энергии оказываются запрещенными. А соответствующие им интервалы энергий — запрещенными зонами.
При рассмотрении отдельных изолированных атомов запрет Паули относится к электронам одного атома — в каждом из атомов могут быть только два электрона, находящихся в одинаковых состояниях. При объединении N атомов в кристалл происходит их взаимодействие друг с другом и запрет Паули распространяется на все разрешенные значения энергии. В результате этого каждый энергетический уровень атома расщепляется на N новых, близко расположенных энергетических уровней 1,3и5,изображенных на рисунке.
При этом на каждом энергетическом уровне может находиться максимум два электрона с противоположными спинами, минимум — ноль. Таким образом, в кристалле образуются полосы 1, 3 и 5 близко расположенных энергетических уровней. Они называются зонами разрешенных значений энергий. Соседние уровни в зоне разделяет энергия порядка 10 22 эВ.
Разрешенные энергетические зоны разделены полосами 2 и 4 ,соответствующими таким значениям энергии, которые электроны не могут иметь.
Эти полосы ,названные зонами запрещенных значений энергии, изображены на рисунке
Ширина запрещенных зон соизмерима с шириной разрешенных зон энергии. С увеличением энергии ширина разрешенных зон возрастает, а ширина запрещенных энергетических зон убывает и может стать даже равной нулю. Разрешенные энергетические зоны в твердом теле могут быть по-разному заполнены электронами. Возможны случаи, когда они полностью свободны или заполнены. Возможны также переходы электронов внутри зоны и из одной зоны в другую. Для перехода электрона из нижней зоны в соседнюю верхнюю необходимо сообщить электрону энергию, не меньшую, чем ширина запрещенной зоны. Для внутризонных переходов электрона достаточно, например, энергии электрического поля 10 -4 —10 -8 эВ. При подводе теплоты электронам может быть сообщена различная энергия, достаточная для внутри- или межзонных переходов. Понятия проводника, диэлектрика и полупроводника в зонной теории объясняется различным заполнением электронами разрешенных зон и шириной запрещенных зон.
Верхнюю из полностью занятых электронами зон разрешенных значений энергии называют валентной . Следующую за ней разрешенную зону называют зоной проводимости. Она может быть полностью свободной от электронов (рис. а, в) или частично занятой ими (рис. б).
Случай, когда зона проводимости полностью свободна от электронов, отвечает представлению о полупроводниках и диэлектриках. Конкретный тип твердого тела определяется шириной запрещенной зоны W между валентной зоной и зоной проводимости.
Если ширина запрещенной зоны кристалла составляет несколько электрон-вольт, то энергии теплового движения валентных электронов недостаточно для их перевода из валентной зоны в зону проводимости. Твердое тело является диэлектриком.
Если же запрещенная зона узка и составляет W ≤ 1 эВ, то для перевода валентных электронов в зону проводимости достаточно их теплового возбуждения за счет внешнего источника. Твердое тело является полупроводником.
Второй случай характерен для проводников электрического тока и теплоты. Однако твердое тело — проводник и в другом случае, когда валентная зона перекрывается зоной проводимости (Be, Cd, Mg, Zn). Это приводит к частичному заполнению валентными электронами области перекрытия зон. По существу такая гибридная зона является зоной проводимости.
Итак, металлы отличаются от диэлектриков с точки зрения зонной теории тем, что уже при О К в зоне проводимости у металлов есть электроны, а у диэлектриков они отсутствуют. Диэлектрики же отличаются от полупроводников шириной запрещенных зон. Для диэлектриков она широка. Например, для NaCсоставляет W = 6 эВ. Для полупроводников — узка. Например, для германия W = 0,72 эВ. При 0 К полупроводники не содержат свободных электронов и ведут себя, как диэлектрики. Однако в отличие от диэлектриков у полупроводников с повышением температуры возникает проводимость, зависящая от ширины запрещенной зоны.
Проводникам соответствует удельное электрическое сопротивление порядка 10 -5 , диэлектрикам — 10 8 Ом-м. Большое число веществ, удельное сопротивление которых изменяется в интервале 10 -5 —10 8 Ом-м, называют полупроводниками.Важнейшими полупроводниками являются германий, кремний, теллур, селен и др.
1. Полупроводники. Собственная и примесная проводимость
Различают собственные и примесные полупроводники. Химически чистые полупроводники называют собственными, а их электропроводность — собственной проводимостью. Собственными полупроводниками являются Ge, Se, химические соединения JnSb, GaAs, CdS и др. На внешней оболочке атомов германия и кремния находятся четыре валентных электрона, которые ковалентно связаны с валентными электронами соседних атомов (рис.a).
Очевидно, что в химически чистых кристаллах таких полупроводников отсутствуют свободные валентные электроны. При подводе к германию энергии в количестве не меньше, чем ширина W запрещенной зоны, происходят нарушение ковалентной связи в атомах кристалла и переход электронов из валентной зоны в зону проводимости (рис б и следующий рисунок).
Величину W называют энергией активации собственной проводимости. Проводимость собственных полупроводников, обусловленную электронами, называют электронной проводимосью или проводимостью п-типа (от лат. negative — отрицательный).
Нарушение ковалентной связи в атомах кристалла полупроводника при переходе электрона из валентной зоны в зону проводимости означает, что в оставленном им месте возникает избыток положительного заряда, получивший название дырки. Положительная дырка, являясь положительным зарядом, по величине равна заряду электрона. С позиций зонной теории это означает, что в валентной зоне кристалла появился вакантный энергетический уровень.
Во внешнем энергетическом поле на вакансию — освободившееся от электрона место, дырку — перемещается электрон с соседнего уровня, а дырка появится в том месте, откуда ушел электрон и т.д. Движение электронов проводимости и дырок в полупроводнике при отсутствии электрического поля является хаотическим. При наличии внешнего электрического поля электроны проводимости движутся против поля, а дырки по направлению поля. Электропроводность собственных полупроводников, обусловленная перемещением квазичастиц — дырок, называют дырочной проводимостью или проводимостью р-типа (от лат. positive — положительный).
Таким образом, в собственных полупроводниках имеет место двойной механизм проводимости — электронный и дырочный. Число электронов в зоне проводимости равно числу дырок в валентной зоне. А следовательно, равны и концентрации электронов проводимости пе и дырок пр. Последние быстро возрастают с повышением температуры по закону
пе =п р с ехр(-W/(2kT)), м -3 ,
где с — постоянная, зависящая от температуры и динамической (эффективной) массы квазичастицы (электрона проводимости и дырки), участвующей в электропроводности. Удельная электропроводность полупроводников также растет с повышением температуры γ = γоехр(- W/(2kT)), (Ом-м) -1 , а удельное сопротивление полупроводников резко уменьшается = о ехр(W/(2kT)), Омм, где γо и о — индивидуальные постоянные полупроводника. Подобной зависимостью у и р от температуры полупроводники существенно отличаются от металлов. В полупроводниках наряду с процессом генерации электронов проводимости и дырок идет одновременно и обратный процесс рекомбинации. Потерявшие часть своей энергии электроны проводимости захватываются дырками. Скорость рекомбинации и скорость образования, электронов проводимости и дырок одинаковы.
В германии при комнатной температуре одна пара носителей заряда приходится примерно на 10 9 атомов.
Полупроводники имеют высокое удельное сопротивление и
его резко выраженную зависимость от температуры. Это по
зволило использовать полупроводники в термометрах, называемых термисторами. Они имеют малые размеры и чрезвычайно высокую чувствительность — термистор реагирует даже на изменение освещенности. Может быть использован для измерения температуры очень малых объектов. Создан (1997 г.)стабильный высокотемпературный термистор до 1000 °С для
измерения температуры продуктов сгорания. Это полупроводниковая керамика, нелинейно меняющая электросопротивление с температурой. Термистор может быть использован в силовых установках самолетов. . —
Идеально чистых полупроводников в природе нет. Наличие даже небольшой примеси в полупроводнике оказывает значительное влияние на его проводимость. Например, введение в кремний примерно 0,001% бора увеличивает его электропроводность в 1000 раз. Электропроводность полупроводников, обусловленную примесями, называют примесной проводимостью, а полупроводник — примесным. Примесями являются атомы или ионы посторонних элементов, различные дефекты и искажения кристаллической решетки. Некоторые примеси обогащают полупроводник свободными электронами, обеспечивая ему в электрическом поле электронную проводимость. Примеси, являющиеся источником электронов, называют донорами, а полупроводники — электронными или полупроводниками п-типа. Таким образом, электронная примесная проводимость возникает в полупроводниках с примесью, валентность которой на единицу больше валентности основных атомов. Например, при замещении в решетке германияодного четырехвалентного атома Ge пятивалентным атомом мышьяка один электрон атома примеси не может образовать ковалентную связь с атомами германия и оказывается лишним (см.рисунок).
При тепловых колебаниях решетки он способен оторваться от атома и стать свободным. Образование свободного электрона не нарушает ковалентной связи атомов. Избыточный положительный заряд, возникающий вблизи атома примеси, связан с атомом примеси и поэтому перемещаться по решетке не может.
Введение примеси искажает энергетическое поле кристалла и приводит к возникновению в запрещенной зоне энергетического уровня Д свободных электронов мышьяка (рис. ).
Такой уровень называют донорным или примесным уровнем. Этот уровень в рассматриваемом случае располагается от дна зоны проводимости на расстоянии WД = = 0,015 эВ. Поскольку WД « W, то уже при обычных температурах энергия теплового движения достаточна для перевода свободных электронов с уровня доноров в зону проводимости.
Есть и другой тип примеси, который обогащает полупроводник дырками и обеспечивает ему в электрическом поле дырочную проводимость. Например, при замещении в решетке германия одного четырехвалентного атома Ge трехвалентным атомом бора не хватает одного электрона для образования насыщенной ковалентной связи. Недостающий четвертый электрон может быть заимствован у соседнего атома основного вещества — германия, где соответственно образуется дырка .Последовательное заполнение образующихся дырок электронами эквивалентно движению дырок и приводит к электропроводности в полупроводнике. Дырки при этом не остаются локализованными, а перемещаются в решетке германия как свободные положительные заряды. Отрицательный же заряд, возникающий вблизи атома бора, связан с ним и по решетке перемещаться не может. Введение трехвалентного бора в решетку германия приводит к возникновению в запрещенной зоне энергетического уровня, не занятого электронами (следующий рисунок).
Такой уровень называют акцепторным, и располагается он выше верхнего края валентной зоны основного кристалла. Поскольку А«W, то уже при обычных температурах электроны из валентной зоны переходят на акцепторный уровень, вступают в связь с атомами бора и теряют способность к перемещениям по решетке германия. В проводимости полупроводника они не участвуют. Носителями тока являются дырки, возникающие в валентной зоне.
Таким образом, дырочная проводимость возникает в проводниках с примесью, валентность которой на единицу меньше валентности основных атомов. Носители электрического или теплового тока — дырки.
Примесные полупроводники с такой проводимостью называются дырочными или полупроводниками р-типа. Примеси, захватывающие электроны из валентной зоны полупроводника, называют акцепторами, а энергетические уровни примесей — акцепторными.уровнями.
Итак, собственная проводимость полупроводников осуществляется одновременно электронами и дырками, а примесная обусловлена в основном носителями одного знака: Электронами — в случае донорной примеси, и дырками — в случае акцепторной.
Электронно-дырочный переход.Кристаллические диоды
В области соприкосновения двух примесных полупроводников, один из которых обладает п-проводимостью, а другой р-проводимостью, имеет место явление, называемое электронно-дырочным переходом или р-п-переходом. На этом явлении основана работа полупроводниковых приборов.
Каждый из полупроводников имеет определенную концентрацию свободных электронов и дырок. Для упрощения рассуждений будем считать концентрацию электронов и дырок одинаковой. В донорном полупроводнике с п-проводимостью — более высокая концентрация свободных электронов с работой выхода Ап и уровнем Ферми WFn, В акцепторном полупроводнике с р-проводимостью — более высокая концентрация дырок с работой выхода Ар и уровнем Ферми WFр. Уровнем Ферми называют максимальную энергию электронов (дырок) при температуре Т = О К. При контакте полупроводников возникает диффузия свободных электронов из полупроводника с п-проводимостью в полупроводник с р-проводимостью (п→р-пере-ход) и противоположная по направлению диффузия дырок (р→п-переход). Это приводит к образованию у границы в области отрезка аb (cм.рисунок) полупроводника с проводимостью п-типа и bс полупроводника с проводимостью
р-типа избыточных зарядов противоположных знаков. Таким образом, в зоне контакта образуется двойной электрический слой. Этот слой создает контактное электрическое поле с напряженностью Ек и разностью потенциалов на границах слоя. Поле препятствует дальнейшему встречному движению электронов и дырок. При определенной ширине (
10 -7 м) р-п-перехода наступает состояние равновесия, характеризуемое выравниванием уровня Ферми для обоих полупроводников. При этом на участке искривляются энергетические зоны, в результате чего возникает потенциальный барьер как для электронов, так и для дырок. Высота потенциального барьера еопределяется первоначальной разностью уровней Ферми (предыдущий рисунок). Итак, состоянию равновесия соответствует сформировавшийся запирающий слой. Последний обладает повышенным сопротивлением по сравнению с сопротивлением остальных объемов полупроводников. Потенциальный барьер такого слоя способны преодолеть электроны и дырки с кинетической энергией, соответствующей температурам в несколько тысяч Кельвинов. Следовательно, при обычных температурах пограничный двойной электрический слой является непроницаемым для перехода электронов в направлении п→р и дырок в направлении р→ п. Поэтому, пограничный слой и называется запирающим.
Однако сопротивление запирающего слоя можно регулировать с помощью внешнего электрического поля. Если напряженность внешнего электрического поля совпадает по направлению с напряженностью контактного электрического поля Ек (как на рисунке), то происходит увеличение величины запирающего слоя
и, следовательно, его сопротивления. Такое направление внешнего поля называют запирающим. В этом направлений ток через p-n-переход не проходит. С изменением полярности внешнего поля ( как на следующем рисунке) его напряженность Е противоположно направлена полю контактного слоя.
Встречное движение электронов и дырок под действием внешнего поля происходит во всем объеме полупроводников и увеличивает число подвижных носителей на контакте. Толщина и сопротивление контактного слоя уменьшаются, и электрический ток проходит через p-n-переход. Таким образом, p-n-переход работает как выпрямитель, пропуская ток только из р-области в п-область.
Описанное вентильное действие р-п-перехода аналогично выпрямляющему действию двухэлектродной лампы — диода. Полупроводниковый (кристаллический) диод содержит один p-n-переход, кристаллический триод, называемый транзистором, два р-п-перехода. Транзистор представляет собой р-п-р— или п-р-п-структуру, или соединение противоположно включенных диодов. Транзисторы р-п-р-типа применяются чаще, так как они проще в изготовлении. Диод служит для выпрямления тока. Кристаллический диод обладает рядом преимуществ в сравнении с электронной лампой: малые габариты, высокий КПД и срок службы, отсутствие инерционности и др. Недостатки — чувствительность к температуре. Рабочий интервал температур 70-120 °С. Транзистор может работать как усилитель мощности и генератор электрических колебаний. Для изготовления транзисторов используются германий и кремний. Их достоинство — высокая механическая прочность, химическая устойчивость и значительная подвижность носителей тока.
| | следующая лекция ==> | |
Современные промышленные взрывчатые вещества | | | Политика |
Дата добавления: 2014-01-07 ; Просмотров: 2186 ; Нарушение авторских прав? ;
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
Полупроводники с точки зрения зонной теории.
Полупроводниками называется большое число веществ, удельное сопротивление которых изменяется в широком интервале от 10 -5 до 10 8 Ом×м и очень быстро, по экспотенциальному закону, уменьшается с повышением температуры. С точки зрения зонной теории кристаллические полупроводники относятся к типу твердых тел, у которых валентная зона отделена от пустой зоны проводимости сравнительно узким интервалом энергии DW, меньшим, чем у диэлектрических кристаллов. Переход электрона из валентной зоны полупроводника в зону проводимости означает, что ковалентные связи в атомах кристалла полупроводника нарушаются. Какой–либо из валентных электронов одного из атомов в решетке покидает свое место. В оставленном им месте возникает избыток положительного заряда–положительная дырка. С точки зрения зонной теории это означает, что в валентной зоне кристалла появляется вакантный энергетический уровень. Положительная дырка ведет себя так же, как положительный заряд, равный по величине заряду электрона. На освобожденное электроном место может переместиться другой электрон, а это равносильно перемещению дырки– она появится в новом месте, откуда ушел электрон. Во внешнем электрическом поле электроны во всей массе движутся в сторону, противоположную направлению напряженности электростатического поля. Положительные дырки перемещаются в направлении напряженности поля, т.е. в ту сторону, куда под действием электрического поля перемещался бы положительный заряд.
Проводники и диэлектрики.
Различия в электрических свойствах твердых тел объясняется в зонной теории различным заполнением электронами разрешенных энергетических зон и шириной запрещенной зоны. Эти два фактора определяют отнесение данного твердого тела к проводникам или диэлектрикам. Необходимым условием, для того, чтобы твердое тело могло быть проводником, является наличие свободных энергетических уровней, на которые электрическое поле сторонних сил могло бы перенести свои электроны. Зона, электроны которой участвуют в создании тока проводимости, называется зоной проводимости. В проводниках под действием электрического поля, создаваемого источником электрической энергии, валентные электроны увеличивают свою энергию и переходят на более высокие свободные энергетические уровни в зоне проводимости. При этом они приходят в упорядоченное движение и по кристаллу идет ток. В твердых диэлектриках энергетические зоны не перекрываются, и зона, объединяющая энергетические уровни валентных электронов атомов или ионов целиком заполнена электронами. Зона, целиком заполненная электронами, называется валентной. Пустые зоны являются зонами проводимости.
Сила Ампера.
Сила, действующая со стороны магнитного поля на проводники с токами, перемещенные в жто поле, называется силой Ампера. Закон Ампера: элементарная сила dF, действующая на малый элемент длины dl проводника с током, находящегося в магнитном поле, прямо пропорциональна силе тока в проводнике и векторному произведению элемента длины проводника dl на магнитную индукцию B: dF=I[dl B]. dl–вектор с модулем dl, направленный в ту же сторону, что и вектор плотности тока в проводнике. Сила Ампера F, дейтсвующая в магнитном поле на проводник с током конечной длины, F=∫I[dl B], где интегрирование происходит по всей длине проводника.
P- n переход.
Область соприкосновения двух полупроводников с различными n- и p- типами проводимости называется электронно–дырочным переходом (p-n переходом). Соприкосновение двух таких полупроводников в результате перемещения электронов и дырок через поверхность раздела приводит к образованию двойного электрического слоя. Электроны из n-проводника переходят в p-проводник, а дырки перемещаются в противоположном направлении. Двойной слой, толщиной ℓ создает контактное электрическое поле с напряженностью Eпр и некоторой разностью потенциалов на границах слоя. Это поле препятствует дальнейшему встречному движению электронов и дырок. При определенной толщине p-n перехода наступает состояние равновесия, соответствующее выравниванию уровней Ферми в обоих полупроводниках, и образуется равновесный контактный слой, являющийся запирающим слоем, обладающим повышенным сопротивлением по сравнению с сопротивлением остальных объемов полупроводников.
Последнее изменение этой страницы: 2016-12-12; Нарушение авторского права страницы
- http://mylektsii.ru/12-22627.html
- http://samelectrik.ru/chto-takoe-provodniki-poluprovodniki-i-dielektriki.html
- http://studopedia.ru/9_87902_klassifikatsiya-tverdih-tel-po-elektroprovodnosti.html
- http://studopedia.su/8_23270_metalli-provodniki-i-dielektriki-v-zonnoy-teorii.html
- http://infopedia.su/13xd136.html